来源:环球市场播报
媒体周二援引业界消息人士报道,三星电子将利用其位于得克萨斯州泰勒市的第二家代工厂,为 AMD 和英伟达生产高带宽内存(HBM)芯片的基础晶圆。
该工厂已获得其全部产量的订单,其中大部分订单来自 AMD,预计将于本月正式动工。
该工厂将采用先进的 2 纳米工艺,占地面积约 270 万平方英尺,约为第一座工厂面积的 1.5 倍,而第一座工厂已与特斯拉签订了合同。
设备预计将于 2029 年 2 月开始安装,2030 年投入量产。
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媒体周二援引业界消息人士报道,三星电子将利用其位于得克萨斯州泰勒市的第二家代工厂,为 AMD 和英伟达生产高带宽内存(HBM)芯片的基础晶圆。
该工厂已获得其全部产量的订单,其中大部分订单来自 AMD,预计将于本月正式动工。
该工厂将采用先进的 2 纳米工艺,占地面积约 270 万平方英尺,约为第一座工厂面积的 1.5 倍,而第一座工厂已与特斯拉签订了合同。
设备预计将于 2029 年 2 月开始安装,2030 年投入量产。
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