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报道:三星明年 HBM4/HBM4E 产量或翻倍,产品占比将从 40% 升至 80%

三星电子正大举押注下一代高带宽内存,公司在 AI 存储芯片竞争中正全面转向高附加值产品。

据首尔经济日报报道,三星电子计划将 HBM 生产工艺中不可或缺的 " 玻璃载板 " 的外包清洗量,从今年每月 2 万片提升至明年每月 5 万片,增幅达 2.5 倍。行业人士据此判断,HBM4 及 HBM4E 的实际产量明年将较今年至少翻倍。与此同时,三星 HBM 整体月均投片量预计将从今年约 18 万片扩大至明年约 25 万片,增幅近 40%。

产量扩张背后,是三星对高世代产品的战略集中。随着 HBM4E 量产逐步铺开,HBM4 系列在整体 HBM 出货中的占比预计将从今年的约 40% 大幅提升至明年的约 80%。这一结构性转变意味着三星将把更多产能资源向高利润产品倾斜。

玻璃载板需求激增,折射产能扩张逻辑

玻璃载板是 HBM 生产工艺中的关键耗材。在将 DRAM 晶圆研磨减薄并钻孔的过程中,玻璃载板贴附于晶圆背面,防止其翘曲或破裂。

由于 HBM 需要在有限厚度内堆叠多层 DRAM 芯片,随着堆叠层数不断增加,晶圆减薄技术与翘曲控制工艺的重要性随之上升。三星重点扩产的 HBM4 和 HBM4E 均以 12 层及以上高堆叠产品为核心,对玻璃载板的工艺要求更为严苛。

据首尔经济日报报道,三星玻璃载板月需求量从去年的 1 万片增至今年的 2 万片,明年将进一步提升至 5 万片。行业分析人士指出,即便考虑到玻璃载板清洗后可重复使用、且实际用量因工艺投入方式与良率而有所差异,2.5 倍的需求增幅仍高度指向 HBM4 系列产量翻倍以上的预期。

产品结构加速向高世代切换

在量产进程方面,三星今年 2 月已启动 HBM4 的量产出货。该产品采用 10 纳米级第六代(1c)DRAM 及 4 纳米工艺制造的基底芯片。今年 5 月,三星又向英伟达等客户提供了 HBM4E 12 层版本的样品。

行业预计,随着 HBM4E 明年进入全面量产阶段,HBM4 系列在三星 HBM 整体出货中的占比将从今年约 40% 大幅攀升至约 80%。一位行业人士表示:" 三星在扩大 HBM 产量的同时,似乎将高附加值产品 HBM4 置于核心位置。"

这一产品结构转变,将直接提升三星 HBM 业务的整体盈利能力,并强化其在 AI 加速器存储市场的竞争地位。

高堆叠工艺需求推动供应链联动

三星此轮扩产对上游供应链形成明显拉动。玻璃载板外包清洗量将在两年内从每月 1 万片扩大至 5 万片,增幅达五倍,相关供应商的订单规模随之同步放大。

从行业趋势看,HBM 堆叠层数的持续增加——从早期的 8 层、12 层向更高层数演进——使得晶圆减薄与支撑工艺在整个制造流程中的瓶颈效应愈发凸显。玻璃载板需求的快速增长,既是三星产能扩张的直接映射,也折射出高堆叠 HBM 工艺复杂度提升所带来的材料消耗强度上升。

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