财联社 9 月 1 日讯（编辑 刘蕊）受人工智能基础设施需求扩张推动，今年 8 月，全球 DRAM 与 NAND 闪存平均价格再度创下历史新高。不过，相较于 7 月，8 月的存储芯片涨价幅度有所收窄：DRAM 环比涨幅为 4.2%，NAND 闪存环比涨幅为 1.4%。
市场调研机构集邦咨询（DRAMeXchange）本周二（9 月 1 日）发布的数据显示，8 月标准 PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）平均合约价为 25 美元，较上月 24 美元上涨 4.2%。对比该机构 2016 年 6 月开启统计时的 2.90 美元，涨幅已超七倍。
回望过去一年多 DDR4 的价格趋势：自去年 4 月至今年 2 月，DDR4 均价连续 11 个月实现两位数涨幅。但在 3 月 DDR4 价格环比持平，之后除 5 月涨幅为 5% 外，4 月、6 月和 7 月再度录得两位数上涨，直至 8 月涨价节奏再次放缓。
在 8 月价格数据出炉后，集邦咨询将第三季度 PC DRAM 合约价环比涨幅预期由此前的 15-20% 上调至 18-23%。其指出，" 绝大多数供应商与 PC 原始设备制造商（OEM）已于 8 月完成第三季度合约价谈判 "，同时表示 " 第三季度涨价幅度相较于第二季度的暴涨（45-50%）已经回落 "。
8 月用于存储卡与 U 盘的标准 NAND 产品（128Gb 16Gx8 MLC）平均合约价为 30.50 美元，较上月 30.10 美元仅上涨 1.4%，实现连续 20 个月价格上行。
单阶存储单元（SLC）8 月平均销售价格涨幅从 7 月的 34-51% 收窄至 16-28%；多层存储单元（MLC）环比涨幅仅为 1.4-1.5%。
集邦咨询判断："SLC 价格在第三季度后大概率延续上涨，但涨幅或将持续缩小 "，并预测：" 由于成本压力愈发挤压终端利润，买方后续采购意愿减弱，MLC 的上涨态势将进一步降温。"
（财联社 刘蕊）
