长鑫科技公告显示，预计今年前三季度营业收入约为 2650 亿元至 2700 亿元，与上年同期相比，将增加 2329.16 亿元至 2379.16 亿元；预计 2026 年前三季度归属于上市公司股东的净利润为 1310 亿元至 1325 亿元，同比扭亏为盈。
从增长速度来看，该公司 Q3 净利润预计约为 533.95 亿元 -548.95 亿元，Q2 净利润 528.43 亿元。据此计算，其 Q3 净利润预计环比增长 1%-3%；Q3 营业收入约为 1147 亿元至 1197 亿元，环比 Q2 增长幅度约为 15% 至 20%。
长鑫科技表示，2025 年下半年以来 AI 算力需求快速增长，全球 DRAM 行业景气度提升，产品供不应求，价格大幅上涨。公司通过稳步推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，进一步提高单位晶圆产出和产能利用率，公司规模效应持续显现。
与此同时，长鑫科技持续优化运营管理，积极拓展市场，持续深化产业链上下游协同合作，推动业务规模持续扩张。公司依托持续的研发投入与工艺迭代升级，推动产品结构不断优化完善，产能利用率保持高位运行，整体业绩实现显著提升。
长鑫科技表示，今年上半年，公司精准把握行业发展的机遇，依托持续的研发投入与工艺迭代升级，推动产品结构不断优化完善，产能利用率保持高位运行，整体业绩实现显著提升。
行业维持景气周期预期 长鑫科技扩产进行中
根据 Omdia 数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商，全球市场份额从近乎为零攀升至 2025 年第四季度的 7.67%。
DRAM 行业整体处于景气周期的预期不变。Counterpoint 预计，今年三季度 DRAM 价格环比上涨 10%-20%，存储供需偏紧或延续至 2027 年。TrendForce 则预计，今年第四季度 Conventional DRAM、HBMBlended 及 NAND Flash 合约价分别环比上涨 10%-15%、15%-20% 和 15%-20%。
不过群智咨询（Sigmaintell）发布的存储价格风向标则显示，2026 年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM、NAND Flash 全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到 10% 以内。
全球存储产业处于扩产周期。长鑫科技科创板 IPO 募投项目正在施行当中，包括晶圆产线改造升级、DRAM 技术升级、动态随机存取存储器前瞻技术的研发等项目。
长鑫科技在今年 9 月底宣布两项合计投资高达 349 亿元的研发及封测项目。
长鑫科技表示，为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，该公司急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司 DRAM 芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。
拟发起上市后首份回购 规模居科创板头部
长鑫科技 10 月 16 日晚间同步公告，该公司董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金，通过上交所股票交易系统以集中竞价交易方式回购公司已发行的部分人民币普通股（A 股）股份。
公告显示，将在回购公告通过后 12 个月内，以不高于该公司董事会审议通过回购方案决议前 30 个交易日公司股票交易均价 150% 的价格，回购公司股票。本次回购资金总额不低于 10 亿元（含），不超过 20 亿元（含）。
从回购规模来看，长鑫科技此次回购处于科创板头部梯队。从板块横向对比看，科创板上市公司过去回购区间集中在 2 亿元至 8 亿元，公司本次 10 亿元至 20 亿元级别的大额回购，释放了管理层积极看好企业市场价值、主动稳定预期的明确态度。
与此同时，至高 20 亿元的回购金额，对应长鑫科技可回收的股份约占当前全部流通股本近 1%。长鑫科技现阶段无限售流通股本的占比仅 6.63%。基于本就稀缺的流通供给，本次回购筹码收缩效应、情绪托底效果将被放大。
长鑫科技表示，提议人提议回购股份原因系基于对公司未来持续稳定发展的信心和对公司长期价值的认可，为维护公司广大投资者尤其是中小投资者的利益，增强投资者信心，促进公司稳健、高质量发展。回购完成后，回购的股份拟用于员工股权激励、员工持股计划或减少公司注册资本。
今年 10 月以来，受美联储可能进一步加息、AI 投资资金成本走高的担忧情绪，全球存储及科技硬件板块呈跌势。长鑫科技作为国产 DRAM 存储芯片龙头亦在近日迎来股价回调。
今日（10 月 16 日），长鑫科技收涨 3.28%，盘中一度涨超 6%，公司总市值重返 3 万亿元。
