【谦合益邦打造全球首款 4 层 3D DRAM 存算一体芯片】《科创板日报》21 日讯，近日，3D 存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款 4 层 3D DRAM 堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着 4 层 3D DRAM 堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与 3D DRAM 堆叠技术，在全球范围内首次实现 4 层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的 " 内存墙 " 瓶颈。
科创板日报
7小时前
