三星电子三季度营业利润创下历史新高，AI 基础设施投资热潮推动存储芯片需求持续爆发，令这家全球最大存储芯片制造商坐收丰厚红利。
周四，三星发布初步业绩指引，2026 年第三季度（7 月至 9 月）合并营业利润约为 107.4 万亿韩元（约合 801 亿美元），较去年同期的 12.17 万亿韩元暴增近九倍，创下公司史上首次单季营业利润突破百万亿韩元的历史纪录。
这一数字超越 LSEG 综合预估的 106.1 万亿韩元，但略低于彭博分析师均值预期的 108.7 万亿韩元。三季度营收约为 195 万亿韩元，同比增长 127%，亦低于市场预期。
这是三星连续第四个季度刷新营业利润纪录。此番业绩的驱动力集中于内存芯片业务，传统 DRAM 及 NAND 芯片供应偏紧、高带宽内存（HBM）需求强劲共同推高价格，令芯片部门盈利大幅扩张。
分析人士预计，供需失衡格局有望延续至 2027 年，届时 AI 相关需求将消化全球内存产能中日益增大的份额。三星将于本月 29 日发布含各业务分部拆分的完整财报。
AI 需求爆发，供需缺口撑起芯片涨价
AI 数据中心建设加速是本轮内存超级周期的核心驱动力。数据中心开发商为抢购 AI 服务器所需内存芯片而竞相下单，令供应端压力持续攀升。
传统 DRAM 与 NAND 芯片供应受限，叠加用于 AI 大规模数据处理的高带宽内存（HBM）需求持续扩张，推动整体内存价格大幅上行。
研究机构 Counterpoint Research 已将三季度 DRAM 价格涨幅预测从此前的环比 5% 至 10% 上调至 10% 至 20%，理由是客户普遍提前下单，供应商定价权明显增强。
分析师普遍预计，供应增速将持续落后于需求，这一缺口在 2027 年或将进一步扩大，届时 AI 相关需求将吸纳全球存储产能中越来越大的份额。
HBM 份额提升，三星追赶 SK 海力士
在 HBM 这一 AI 加速器核心配套芯片市场上，三星正逐步缩小与竞争对手 SK 海力士之间的差距。
分析师指出，传统 DRAM 出货量受库存水位限制，预计环比基本持平；但受 HBM4 强劲需求带动，HBM 出货量有望较上季度大幅提升。
Douglas Research Advisory 的 Douglas Kim 估计，三星三季度 HBM 位出货量环比增幅接近 50%。与此同时，三星和 SK 海力士正双管齐下，一方面扩大产能，另一方面加大对 AI 领域企业的战略投资，以期进一步催生对自身产品的需求。
不过，韩元升值构成一定拖累。海外以美元计价的销售额折算成本币后，实际收入有所缩水，部分抵消了出货量增长带来的收益。
分析师预计，三星芯片部门单季营业利润可达 110 万亿韩元，成为整体业绩的绝对支柱；而其消费电子部门则预计录得亏损。
存储芯片价格上涨在提振半导体业务利润的同时，也推高了三星智能手机及其他电子消费品的零部件成本，令相关部门利润率承压。
