银河微电表示，当前国内相关产品供给仍有提升空间，公司现有产能主要面向常规产品，相关产能存在一定缺口。本项目将实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产，有助于补充公司相关产能，提升相关产品供给能力。
《科创板日报》记者注意到，该项目系公司此前披露的 " 高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目 " 的延续与产业化落地环节。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施，本项目将在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。
产品定位上，项目聚焦采用 SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN 等先进芯片结构的高端功率分立器件与第三代半导体器件，覆盖 SGT MOS、超结 MOS、IGBT 及模块、SiC 器件、IPM 模块、车规 TVS/ESD 等核心品类，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。所有产品均通过 AEC-Q101 等高可靠性认证，具备低损耗、高抗 ESD/ 雪崩能力、长寿命等特性，主要面向新能源汽车、储能、工业控制等高门槛应用场景。
投资方面，项目总投资估算约 10.78 亿元，将按照整体规划，并根据市场情况、客户导入及产能消化进度等分阶段、分批投入。建设内容包括厂房车间装修、生产设备及配套设备购置、新产线搭建等，最终实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等升级产品的落地量产。
作为国内半导体分立器件领域产品品类最齐全的企业之一，银河微电已构建 IDM 一体化经营模式。财报显示，2026 年上半年，公司实现营业收入 6.11 亿元，同比增长 28.28%；归母净利润 4825.85 万元，同比增长 77.28%。
此次 10.78 亿元的大额投资，被视为银河微电加速向高端功率器件升级的又一重要战略举措。公司在高端功率器件领域采用 " 内部扩建 + 外延并购 " 双线推进策略。此前，银河微电发布公告，公司筹划通过发行股份购买恒泰柯半导体（上海）有限公司 100% 的股权，该公司在 150V-200V 中高压 SGT MOSFET 领域达到国产顶尖水准，而银河微电本次扩产项目的核心品类恰好覆盖 SGT/SJ、IGBT 等优势赛道。
此外，银河微电高端集成电路分立器件产业化基地项目在常州新北区于 2025 年底开工。项目建设先进半导体车规级分立器件以及第三代半导体功率模块线，达产后预计年产车规级分立器件 5.5 亿只 / 年、小信号及功率器件 80 亿只 / 年、光电器件 25 亿只 / 年、IGBT 及碳化硅功率模块 5000 万只 / 年的生产能力。预计 2027 年 2 月完成整体验收交付。
随着新能源汽车 800V 高压平台普及、光伏储能装机规模扩张以及工业自动化升级，国内功率半导体市场需求持续释放，本土厂商正迎来国产替代的关键窗口期。
根据 Omdia、WSTS、中国半导体行业协会等统计，2019 年中国半导体分立器件市场规模为 2772 亿元， 2025 年增长至 3630 亿元，复合年均增长率为 4.60%。新能源汽车、储能、工业控制等下游领域发展，将带动功率器件等产品需求。2025 年全球功率半导体分立器件市场中，汽车电子仍为第一大应用领域，中国市场国产化比例持续提升，其中模块类产品国产化率同比提升 6 个百分点。
当前，全球半导体分立器件行业整体呈现寡头垄断、分层竞争的发展格局。行业第一梯队以英飞凌、安森美、意法半导体等国际大厂为代表，凭借 IDM 全产业链模式与研发实力，在高压 IGBT、宽禁带半导体、车规级器件等高附加值赛道占据主导，整体市场占比较高。第二梯队包含华润微、士兰微等国内头部企业及国际二线厂商。
华经产业研究院近期在报告中表示，中国半导体分立器件产量整体呈现出增长态势。2022 年后逐步恢复并趋于稳定。随着新一代信息技术产业向着数字化、网络化、智能化不断推进，新材料（如碳化硅 SiC、氮化镓 GaN、锑化物等）和新技术（如微纳米、MEMS、碳纳米管等）不断实现创新与突破，对半导体分立器件未来的发展产生深远的影响，不断促进半导体分立器件向高频、高速、大功率、低功耗、小型化、功能化等方面演变。从下游应用领域来看，随着新能源汽车、智能终端、5G、物联网、大数据、人工智能等战略新兴行业的发展，将带动新型半导体分立器件市场的进一步快速发展。
