然而，就连这些大型科技公司都无法取得合约约定的全部供货量，HBM 抢货情况相当激烈，推动现货价格进一步飙升。
据内存市场研究公司 MegaGrid Supply 的数据，一块 36GB 的 HBM3E 产品，现货售价为 2100 美元，约合 287 万韩元。这相当于长期合同价格（50 万至 70 万韩元）的四到五倍。目前正准备量产的 16 层 HBM4 产品，如果通过现货市场而非长期合同购买，其交易价格高达 3500 美元，约合 480 万韩元。
供应压力正从 HBM 蔓延至一般 DRAM。随着向英伟达等大型科技客户供应的 HBM4 持续增加，HBM 生产吸收大量 DRAM 产能，进一步推升 DRAM 价格。
此外，仍处于量产初期的 HBM4，生产良率低于上一代 HBM3E，制造过程需要耗用更多 DRAM，也使整体 DRAM 供应短缺进一步恶化。
目前，三星电子和 SK 海力士认为存储器短缺问题短期内无法解决，正从多个方面寻求产能扩张。
三星设备解决方案部门管理层正在评估，最快从 2027 年开始，将平泽园区的晶圆代工产线 S5 转为存储生产线。另据业内人士透露，SK 海力士在扩大了龙仁和湖南地区的生产基地后，也考虑与日本伙伴建立合资工厂。业内人士关注的焦点是，SK 海力士可能会扩大与铠侠（Kioxia）的合作。
受内存短缺加剧的影响，价格上涨预计将为三星电子和 SK 海力士带来创纪录的盈利。报道称，金融投资行业分析师预计，两家公司第三季度的盈利将再次创下新高。
根据过去一个月的预测，市场普遍预期三星电子第三季度营收将达到 206.64 万亿韩元，营业利润将达到 116.38 万亿韩元，远高于第二季度的 171.50 万亿韩元和 89.49 万亿韩元；
SK 海力士预计第三季度营收为 101.76 万亿韩元，比上一季度增长 28.2%；营业利润为 79.16 万亿韩元，增长 30.7%。
韩国半导体产业协会执行董事安基铉（Ahn Ki-hyun）表示：" 解决芯片短缺问题需要建设更多生产工厂，即使计划中的新工厂投产，也只能缓解短缺问题，而无法彻底消除。"
