来源：环球市场播报
SK 海力士周四为其位于印第安纳州的先进存储芯片封装工厂举行奠基仪式，标志着美国政府重建战略性重要产业国内供应链和制造能力的行动取得进展。
这座位于西拉法叶占地 133.5 英亩的工厂投资超过 40 亿美元，将成为 SK 海力士在美国的首个高带宽存储器（HBM）封装基地。首席执行官 Kwak Noh-Jung 在活动上表示，工厂洁净室预计将在 2028 年 10 月前启用，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年开始量产。全面投产后，该基地将成为重要的 HBM 枢纽，雇佣约 1000 人。
HBM 是全球 AI 硬件热潮不可或缺的组成部分，因为组装英伟达最先进的 AI 加速系统就需要使用 HBM。这也推动 SK 海力士成长为韩国市值第二高的公司，仅次于三星电子，后者同样受益于 HBM 及其他存储产品需求激增。
Kwak 在活动上表示，该工厂将有助于强化美国本土 AI 芯片供应链，而华盛顿认为这对经济和国家安全至关重要。
SK 海力士表示，公司在韩国生产的晶圆将运往印第安纳州进行封装和测试，之后再供应给美国客户。
该项目预计通过建设、运营及相关产业创造约 7000 个直接和间接就业岗位。SK 海力士还与附近的普渡大学签署协议，将在 HBM、系统集成和先进封装研究方面开展合作。项目还将在生产线旁建设先进封装研发测试平台。
