更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超 10 亿美元的新增市场。
受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM 国际）及 Naura（北方华创）则更多受益于后续 DRAM 和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis 表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。
钨转钼重构 NAND 工艺流程 机构看好设备及零部件厂商
钼渗透率在高层数 NAND 中提升，本质是为延续 NAND 单位 Bit 成本下降曲线。
300 层 NAND 主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次 Stack 堆叠、晶圆翘曲控制以及 Overlay 精度控制。
375 层乃至 400 层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临 RC 延迟快速恶化、WF 残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善 RC 性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数 NAND 的成本下降曲线。
中银证券表示，SK 海力士已完成 375 层 3D NAND 生产验证并计划 2026 年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在 286 层第九代 3D NAND 中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。
然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。
基于此，300 层以上 3D NAND 字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD 沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨 CVD 产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。
爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿 " 沉积及前驱体输送→ CMP 及清洗→刻蚀→量检测 " 路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——
沉积：成熟的 WF 钨工艺，Mo 沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；
输送：Mo 前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统 WF 气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；
CMP：Mo 材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发 CMP 研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；
清洗：Mo 导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；
刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且 3DNAND 层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；
量检测：Mo 量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。
该机构称，NAND 工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo 字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。
