存储需求持续爆发之际，闪迪给出了极为激进的长期财务目标。
美东时间 8 月 13 日，闪迪在 2026 年投资者日活动上公布了覆盖 2028 至 2030 财年的长期增长战略与全新财务框架。
董事长兼首席执行官 David Goeckeler 表示，公司过去 18 个月的战略执行已构筑起差异化竞争根基，涵盖 NAND 闪存创新能力、系统级技术实力、多元化产品矩阵、资本运营效率以及全栈技术管控能力。
受此催化，周四美股收盘，闪迪股价暴涨 13.67%。拉长时间线来看，年初至今，闪迪股价累涨 543.74%。
长期财务模型是此次投资者日最受关注的焦点。
闪迪预计，2028 至 2030 财年营收保持中高双位数增长，非 GAAP 毛利率约 80%，营业利润率约 75%，运营费用仅占营收 5%。
即便计入税费、资本开支和营运资金，调整后自由现金流利润率仍可达约 50%。
首席财务官 Luis Visoso 直言，公司正处于 " 独特的发展机遇 " 之中，并给出明确资本回报承诺：完成业务投资后，100% 剩余现金返还股东。
这意味着未来闪迪的资本配置将围绕三条主线展开：优先投入业务与技术增长，保持强劲自由现金流创造能力，最终将超额现金通过回购或分红的方式全部回馈给投资者。
支撑这一激进财务模型的核心基石，是闪迪正在推行的全新商业模式（NBM）。
公司已与 8 家客户签署全新商业模式协议（NBM），涵盖承诺采购量、具有法律约束力的合同框架、最低财务保障及结构化定价机制。
这些协议覆盖 2027 财年约 50% 比特供应量，2028 财年跃升至约三分之二。
集邦咨询测算，相关协议已锁定至少 939 亿美元保底营收。
市场分析认为，如果长期合约模式持续推广，有望有效缓解存储行业传统的剧烈价格波动，令闪迪盈利结构向逻辑芯片厂商靠拢。
换言之，闪迪正试图将市场定价逻辑从 "NAND 价格周期股 " 转向 "AI 基础设施核心资产 "。
2030 年企业级闪存 TAM 或达 1.2ZB
投资者日活动上，闪迪还公布了公司的技术路线图。
公司基于 CMOS 直接键合至阵列（CBA）技术提出 " 二维拓展 " 战略，核心思路并非单纯追逐堆叠层数，而是将成熟存储阵列与新一代 CMOS 晶圆灵活组合，以更资本高效的方式快速推出定制化产品。
全新 BiCS9 QLC便是该战略的首个落地成果：采用成熟 BiCS8 存储阵列搭配基于 BiCS10 架构的 CMOS 晶圆，在满足 AI 工作负载高性能需求的同时控制制造成本。
更受关注的是下一代BiCS10 QLC节点，其比特密度较 BiCS8 提升 60%。
公司称将在存储密度、性能与能效方面树立新行业标杆。
另外，闪迪还在推进面向 AI 推理的新型高带宽闪存（HBF）技术。
该产品并非取代高带宽内存（HBM），而是在 HBM 与固态硬盘之间新增一层近算力存储，兼顾带宽与容量，精准卡位 AI 推理时代 KV Cache 重塑存储层级的趋势。
目前，闪迪已与 SK 海力士通过开放计算项目（OCP）发布 HBF 技术规范，谷歌、Tenstorrent 参与技术验证与标准制定，产业生态正在逐步成形。
不过，发布规范不等于大规模出货，HBF 商业化仍有待产品、客户与产业链协同验证。
据悉，闪迪与铠侠在日本北上第二工厂启动第十代 3D 闪存量产。
公司判断，随着 AI 从训练迈向大规模推理，Token 使用量快速增长，KV Cache 正在重塑数据中心存储层级，AI 数据中心将变得更加 " 存储密集型 "。
基于此，闪迪预计，到 2030 年，企业数据中心闪存总可用市场规模将扩大至 1.2 泽字节（ZB）。
市场情绪高涨，但隐忧并未消失。
早前，美国联邦政府对全球 60 个贸易伙伴征收 10% 至 12.5% 关税，覆盖欧盟、日本、韩国及中国台湾等半导体供应链核心区域。
分析师提醒，即便 AI 结构性需求支撑强劲，当前高涨的市场预期已抬高了业绩兑现门槛，闪迪目标毛利率处于极高区间，一旦后续需求或价格不及预期，存储板块仍存在回调压力。
高盛则重申对闪迪的 " 买入 " 评级，基于 110 美元常态化每股收益的 20 倍市盈率，给出高达 2200 美元的 12 个月目标价，较当前 1528 美元的股价意味着约 44% 的上涨空间。
该行指出，长期客户协议能否真正平滑行业周期性波动，仍需时间验证，短期内难以完全反映在估值倍数中，但近期 NAND 市场供给增量有限，叠加产品组合持续优化，对闪迪的买入逻辑依然坚实。
