来源：环球市场播报
阿斯麦表示，英特尔自 2024 年启动相关试验后，现已正式启用阿斯麦新一代高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV），利用该设备为旗下部分 Panther Lake 处理器刻制电路图案。
业界此前一直争论何时规模化部署高 NA 设备具备经济效益。随着芯片制程不断微缩至原子级尺寸，未来各大芯片制造商都离不开这款设备。
单台高 NA 光刻机售价约 4 亿美元，是常规 EUV 设备价格的两倍，且该设备导入产线的工艺难度极高。
英特尔仅将高 NA 设备用于芯片特定工艺层，通过量产实操收集数据，联合阿斯麦持续优化设备性能。
英特尔方面未就该消息置评。
Panther Lake 芯片采用英特尔 18A 工艺打造，此前已使用阿斯麦常规 EUV 光刻机生产。光刻工艺通过光束在晶圆上绘制复杂电路版图，是芯片制造核心工序。
英特尔 2024 年已在俄勒冈州希尔斯伯勒研发基地接收首台高 NA 光刻机，该基地专门用于研发全新芯片制造工艺与技术。
