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AI 存储再提速!三星率先交付 12 层 HBM4E 样品 ,性能大涨 20%

【太平洋科技快讯】今日,三星电子宣布已向全球核心客户交付业内首批 12 层堆叠 HBM4E 样品,完成样品验证与优化后将启动批量生产。

作为 HBM4 的迭代产品,HBM4E 采用第六代 10 纳米级 DRAM 工艺 ( 1c ) 与 4nm 逻辑基片,面向大模型训练、生成式 AI 及高性能计算场景优化。核心规格较 HBM4 全面提升:引脚速率稳定 14Gbps、可扩展至 16Gbps,性能提升超 20%;单堆栈带宽达 3.6TB/s,容量 48GB,较上一代提升超 30%;同时能效提升 16%、热阻改善超 14%,适配数据中心高负载运行需求。三星还规划扩展产品阵容,后续推出 8 层 32GB、16 层 64GB 版本,满足多样化算力配置需求。

HBM 是 AI 加速芯片的核心配套部件,带宽与容量直接决定 AI 训练与推理效率,当前市场由三星、SK 海力士、美光三足鼎立。三星自 2015 年布局 HBM,历经十代产品迭代,今年 2 月已实现 HBM4 量产,是 全球首家完成 HBM4 量产的企业。SK 海力士 HBM4E 计划 2026 年下半年送样、2027 年量产;美光 HBM4E 同样瞄准 2027 年量产,行业将逐步从良率竞争转向规格主导与定价权争夺。

海通国际证券认为,伴随 AI 服务器出货量增长与 HBM 迭代渗透提速,叠加供给端瓶颈约束,HBM 中长期价格仍具备上行空间。

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