据韩媒援引业内消息人士报道，三星电子与 SK 海力士正竞相订购 ASML 的极紫外（EUV）光刻设备，各自投资上限或达到 20 万亿韩元（约合人民币 992 亿元）。此前 ASML 宣布，EUV 设备将出现供应短缺，因此锁定设备交付档期已成为扩大先进 DRAM 产能的关键。
业内人士指出，由于设备交付周期据称已翻倍，两家公司都在考虑提前下单以确保供应，未来或将进一步推高资本支出。
今年 3 月，SK 海力士曾披露一项价值约 11.95 万亿韩元的 EUV 设备采购计划，相当于其 2024 年底总资产的 9.97%。该订单计划于 2027 年 12 月 31 日前交付，以支持该公司向 1c DRAM 的过渡。
三星电子也在积极拓展其先进 DRAM 产能，该公司正在平泽 P4 工厂增设 HBM4 单晶 DRAM 生产线。同时，公司也在推进 P5 工厂的建设，该工厂的首座晶圆厂预计将于 2028 年投产。据报道，三星电子已为 P5 工厂订购了光刻设备，预计在第一阶段洁净室于 2027 年上半年完工后，设备即可投入使用。
此外，两家公司都在准备采用更先进的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术进行下一代 DRAM 的生产。
据悉，三星电子和 SK 海力士计划于 2027 年开始量产 1D DRAM，随后于 2028 年开始小规模生产 10nm 以下的 0a DRAM。高数值孔径极紫外光刻技术预计将在 0a 阶段引入，最初用于部分层，据报道，三星正在考虑仅在一到两层中使用，以平衡成本和良率。
另一边，EUV 设备供应短缺或延续至 2028 年。ASML 在 10 月发布的财报中警告称，计划中的供应量在 2027 年和 2028 年都将无法满足需求，一些客户甚至已经表示有意订购 2029 年乃至 2030 年的设备。
目前，该公司正在探索如何扩大其 2028 年的产能，使其超过此前预期的 30% 的同比增长目标。据其三季报，存储器供应商贡献了系统收入的 46%。ASML 表示，核心产品价格上涨的影响将从明年开始显现，预计将在 2028 年全面显现。
类似的短缺还发生在后端设备领域，包括韩美半导体、Amkor（安靠）等厂商订单积压均已长达两到三年，随着进入最终下单阶段，各公司正扩大 AI 数据中心相关设备的产能，其中包括用于 HBM 制造的热压（TC）键合机。
东方财富证券判断，AI 投资周期仍处上行阶段，需求有望从算力芯片向存储、制造与设备扩散，存储涨价与设备紧缺有望延续至 2027 年。
东吴证券指出，半导体设备前道规模效应逐步显现，AI 算力建设带动先进逻辑、先进存储及先进封装设备需求，国产设备在客户验证、量产导入和份额提升方面仍有较大空间，看好国产设备商陆续兑现业绩。
