机构预计，今年第四季度，DRAM 价格有望环比上涨，而 NAND 闪存方面，MLC 闪存和 SLC 闪存价格走势将出现分化。
DRAM 价格预计环比上涨
集邦咨询旗下 DRAMeXchange 发布数据显示，10 月通用型 DRAM 产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均合约价格达到 27.5 美元，较上月 26 美元环比上涨 5.77%；对比 2016 年 6 月开始追踪统计时的 2.9 美元的价格，如今已经累计上涨约 9.5 倍。
集邦咨询预测，今年第四季度 PC DRAM 合约价将环比上涨 13%-18%。
DRAM 价格此番持续上涨的原因在于存储大厂产能结构调整：厂商优先扩产服务器内存，同步压缩 PC 端 DRAM 供给。机构预计，韩国 DRAM 厂商明年的 PC DRAM 产量将较今年下滑 20% 以上。
尽管当前全球 PC 终端需求低迷，但受供给持续紧张影响，PC DRAM 价格上涨趋势料将延续。
据透露，在四季度合约议价阶段，曾有厂商提出 15%-20% 的涨价方案，但遭到下游客户抵触，大单成交受阻。不过集邦咨询认为，供给短缺局面仍将延续，11 月合约价格基准会较 10 月小幅走高。
MLC 和 SLC 价格走势分化
NAND 闪存方面，10 月用于存储卡、U 盘的通用 MLC 闪存（128Gb 16Gx8 MLC）平均合约价为 30.61 美元，与上月持平。
集邦咨询分析，NAND 闪存厂商把产能转向先进 3D NAND 工艺，老旧工艺产品的供给正在收缩。一方面高价给下游客户带来采购压力，另一方面市场又面临供货量不足的困境，两股力量相互抵消。
与 MLC 闪存不同，受汽车、工业控制设备、低轨卫星的需求拉动，SLC（单层单元）NAND 闪存价格持续走高。10 月 SLC 产品均价环比上涨 5%-10%，其中 4Gb 及以上的大容量型号涨幅达到 9.0%-9.9%。
展望后市，机构预计 MLC 与 SLC 价格走势或将出现分化：第四季度大容量 SLC 产品涨价行情还将延续；而下游客户会转向性价比更高的 SLC 或者 TLC（三层单元）产品，MLC 需求随之走弱，价格存在小幅下行压力。
