在会上，长鑫科技介绍了前三季度业绩预告：预计 2026 年前三季度实现营业收入 2650 亿至 2700 亿元，同比增长超 7 倍；归母净利润高达 1310 亿至 1325 亿元，实现同比扭亏为盈。长鑫科技表示，亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题，长鑫科技在交流中回应称， 公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。
结合当前的宏观与产业环境，长鑫科技进一步指出， 公司对 DRAM 行业长期发展保持充足信心。AI 算力需求爆发正驱动全球 DRAM 市场持续扩容，预计 2025 至 2030 年行业年均复合增长率高达 38.39%。面对广阔市场机遇，公司已构建强大的产品技术实力，承接市场需求。技术路线上，公司坚持自主研发与 " 跳代研发 " 策略，已完成从第一代到第五代工艺技术平台的产品迭代；产品端已实现从 LPDDR4X 到 DDR5、DDR5X，再到最新 LPDDR6 的全系列产品覆盖，核心技术达国际先进水平。
在谈及未来的战略布局与核心竞争力时，长鑫科技管理层重点强调，公司将深入内存制造极致微缩领域的 " 无人区 "，以创新工艺突破固有技术瓶颈。目前，公司已采用创新的四重自对准图形工艺，第五代技术平台制程比肩业内已量产的最先进平台，存储密度与器件性能大幅提升。核心产品 LPDDR6 内存芯片传输速率达 12800 Mbps，功耗较 LPDDR5X 产品下降 20%，兼顾高速、低功耗与高可靠性，广泛适配智能终端、数据中心、边缘计算、智能驾驶及智能制造等 AI 时代核心场景。同时，公司在 4F 等先进技术架构方面已取得关键进展。
在 10 月 16 日长鑫科技披露 2026 年前三季度业绩预告后，多家头部券商研究机构及资深半导体分析师指出，长鑫科技凭借从先进技术到产品矩阵的全面突破，不仅成功把握了行业上行周期机遇，更在全球存储芯片格局重塑中确立了关键地位，作为国内存储巨头的长期价值正迎来历史性的加速兑现期，即将披露的第三季度完整季报势必成为下一个重要看点。
