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钛媒体 32分钟前

半年赚 776 亿,长鑫又拿出 349 亿押注下一代 DRAM

文 | 来咖智库

9 月 28 日晚间,长鑫科技(688825.SH)连发两份投资公告:241 亿元的技术研发项目,加上 108 亿元的存储器晶圆后道测试基地二期,单日合计 349 亿元。其中 180 亿直接来自 IPO 超募资金,剩下的通过增资借款补足。

一家公司半年报刚录得 A 股罕见的盈利数字,转头就把利润和超募资金砸回产线。这个动作该怎么读?

776 亿的利润,是什么成色

长鑫科技 2026 年上半年实现营业收入 1503.1 亿元,同比增长 873.64%;归母净利润 776.05 亿元,而去年同期公司还亏着 23.32 亿元。主营业务毛利率 84.84%,经营性现金流净额 1311.56 亿元。

实在是太赚钱了。

84.84% 的主营业务毛利率,放在整个 A 股大型制造企业中也相当突出。AI 算力需求拉动全球 DRAM 供不应求,三星、SK 海力士、美光把产能向 HBM 和服务器 DDR5 倾斜,通用存储产品留下结构性空缺,长鑫正好接住了这块市场。

更值得注意的是环比曲线。一季度归母净利 247.62 亿元,二季度 528.43 亿元,环比增长 113%。也就是说,到今年年中,涨价带来的利润还在加速释放,而非见顶回落。

市场份额同步上台阶。据 CFM 闪存市场数据,2026 年二季度全球 DRAM 市场规模 1470.24 亿美元,环比增长 55.9%,创历史新高;三星、SK 海力士、美光之后,长鑫存储份额已逼近 10%,稳坐全球第四,且季度销售收入环比增幅位列全球第一。

349 亿花在哪:IDM 补上最后一环

巨额定投的去向,一半给研发,一半给测试。

研发项目总投资 241 亿元,建设周期 30 个月,聚焦 DRAM 制程工艺迭代。这个投入的背景是长鑫刚刚完成关键一跃:9 月,公司第五代 DRAM 工艺技术平台正式量产,依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米,跻身全球顶尖量产制程行列。今年上半年研发投入 68.59 亿元,同比增长 87.38%,241 亿相当于上半年研发投入的 3.5 倍。

测试基地二期则回答了一个更现实的问题。公告里的表述相当直白:随着产能持续释放、产品矩阵不断丰富,外部封测产能不足、配套资源受限,已经开始制约产能释放。这座总投资 108 亿元、建设周期 37 个月的测试工厂,建成后将承担 DRAM 晶圆测试和模组组装,进一步补强 IDM 模式下的后道测试能力。

需要说明的是,349 亿元是两个项目的规划总投资,其中 180 亿元拟使用超募资金。长鑫上市时市场给的钱到现在还没有花完,如今反手投入产线,没有新增债务,也没有稀释股东。利润换产能,现金流换时间,这笔账的打法相当传统,也相当扎实。

兆易创新加码:关联交易额度明显提升

同一天,产业链下游给出了一份更直白的佐证。

9 月 29 日晚,兆易创新公告,将 2026 年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从 57.11 亿元上调至 78.54 亿元,增加原因写得很清楚:DRAM 产品代工价格随市场行情上行。同时公司预计 2027 年 1 至 4 月的关联交易额度将达 44.11 亿元。

这组数字的分量需要换算一下:44.11 亿只是 4 个月的预计额度,已经超过兆易创新 2026 年一季度的全部营收(41.88 亿元),接近其 2025 年全年营收(92.03 亿元)的一半。而 2025 年双方实际发生的关联交易只有约 11.8 亿元,一年时间,额度膨胀至 6.7 倍。

还有一层信号藏在执行进度里。2026 年 1 至 8 月实际发生 35.96 亿元,距离 78.54 亿的上限还有 42.58 亿元空间,意味着四季度下半场,采购节奏大概率还要提速。

轻资产的设计公司加价抢代工产能,这是卖方市场最典型的微观形态。Fabless 厂商可以没有晶圆厂,但不能没有 DRAM 产能,而当下全球范围内能大规模承接利基型 DRAM 代工的产能,就那么几条线。

对面的价格:美股存储链一夜大跌

热闹的另一面,是全球资本市场给这个行业的另一份报价。

就在长鑫公告发布前后,美股存储板块集体下挫:美光收跌 2.61%,SK 海力士收跌 5.03%,闪迪收跌 3.65%,费城半导体指数收跌 1.61%(盘中一度跌 3%)。背景是 10 年期美债收益率盘中升至 5.27%,创 2007 年以来新高,30 年期升至 5.57%,创 2002 年以来新高,高利率环境下高估值成长资产整体承压。

A 股这边,长鑫科技 9 月 28 日收盘跌 4.27%,总市值 3.65 万亿元,仍稳居 A 股市值榜首。一边是本土龙头逆势重金扩产,一边是海外存储资产估值收缩,同一个行业,两个市场给出了方向相反的定价。

基本面侧的信号同样值得记录:由于存储原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限,非长协订单的涨价空间正在逐季缩小,机构普遍预期三季度 DRAM 价格继续上涨但涨幅收窄。暴涨阶段大概率正在过去。

那么,涨价动能趋缓之际砸下 349 亿扩产,是逆势豪赌,还是教科书操作?

DRAM 产业的历史给出的参照是后者。这是一条以深周期著称的赛道,价格暴涨与暴跌的振幅远超一般制造业,而行业格局的洗牌,几乎都发生在下行周期的扩产决策上:谁在最缺钱的时候继续投产线,谁就在下一轮景气里拿走最大的份额。三星当年正是靠连续多个下行周期的逆周期投资,把日系对手挤出了存储市场。

把长鑫的时间表摆进这个框架里看。测试基地二期建设周期 37 个月,投产节点大约落在 2029 年,恰好对应本轮紧缺缓解、供需重新寻底的窗口。届时手里有新产能、有第五代乃至第六代工艺、有自建测试体系的公司,和只赚过一轮涨价钱的公司,处境会完全不同。

更何况长鑫的扩产并非同质化堆量。巨头让出的通用 DRAM 结构性空缺、LPDDR6 全球首次商用量产(首发小米 18 Fold,峰值速率 12800Mbps、最高容量 16GB)、长鑫 10667Mbps 的 LPDDR5X 在努比亚 NaviX Ultra 上落地(国产该速率级产品首次量产应用),这些产品端的卡位说明,349 亿买的不只是产能,是差异化位置。

结 语

存储超级周期的中场判断没有变化,变的是观察重点。接下来值得盯的不再是 DRAM 每季度涨几个点,而是三个更慢的变量:11.95 纳米之后的第六代工艺何时点亮,78.54 亿的关联额度明年以什么速度执行完,以及 2029 年测试基地投产时,行业正处在周期的哪个位置。

对二级市场,需要保留一分清醒:周期股的估值顶,历来出现在利润率见顶之前。349 亿是产业资本对未来的下注,而金融资本定价的是当期利润的斜率,两者的时间差,恰恰是这门生意全部的博弈空间。

(本文基于公开信息整理,不构成投资建议)

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