长鑫科技 9 月 28 日晚间发布公告，拟使用超募资金人民币 130 亿元，投资新建技术研发项目；同时该公司拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（下称 " 长鑫产品合肥 "）提供超募资金人民币 50 亿元，由长鑫产品合肥投资新建 " 长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目 "。
其中，技术研发项目的规划总投资金额达 241 亿元，建设周期 30 个月；后道测试基地二期项目的规划总投资额为 108 亿元，计划建设一座测试工厂，为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装。
长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。
因此，该公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
测试作为 DRAM 生产中不可或缺的关键环节，因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。
长鑫科技表示，为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司 DRAM 芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。
据了解，长鑫科技科创板 IPO 募集资金净额为人民币 663 亿元。公司上市前拟募资金额为 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。
长鑫科技通过跳代研发加快技术创新，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 的产品覆盖和代际演进。
目前长鑫科技核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
其中长鑫科技第五代工艺技术平台在今年 9 月宣布正式实现量产。据了解，通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1；开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。
长鑫科技 LPDDR6 研发及导入进展同样取得了突破。
今年 8 月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存 LPDDR6 实现量产，并将首批搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机。长鑫 LPDDR6 芯片性能较上一代 LPDDR5X 实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达 12800Mbps，芯片最高容量 16GB。这也是全球 LPDDR6 产品首次落地商用。
经过多年发展，长鑫科技已在 DRAM 产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了完善的核心技术体系，形成了全面的自主知识产权积累，并在技术快速迭代和产业化方面积累了丰富的经验。
长鑫科技表示，通过此前的产业链深化合作，增强了供应链的安全保障能力，将为本次超募项目的顺利实施提供了充分保障，并为公司产能持续扩充和技术工艺升级提供了有力支撑。
