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36氪 1小时前

三星拟于 2028 年前将高 NA EUV 用于 DRAM 量产

三星电子与阿斯麦(ASML)宣布扩大战略合作。三星将加入推动 12 英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于 2028 年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于 DRAM 大规模生产。三星表示,12 英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本,并减少光罩拼接限制。高 NA EUV 则有望延长 DRAM 制程微缩路线,通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发 12 英寸光罩技术及配套基础设施。(界面)

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