近日，多家机构预计，2026 年全球磷化铟供需缺口超 70%；国内所有厂商出货量仅占全球供应量约一成，产业链紧张局面持续向上下游传导。
《科创板日报》记者对锡业股份、兴福电子、云南锗业、源杰科技、仕佳光子、长光华芯、三安光电等磷化铟产业链上中下游多家上市公司致电访谈，试图厘清各环节的真实卡点所在。
从记者掌握的情况来看，国内磷化铟产业链呈 " 资源强、制造弱 " 的格局。上游精铟充足，但高纯铟产能不足；中游衬底、外延片仍在扩产爬坡，高速光芯片厂商普遍依赖进口衬底。整条产业链产能规模相较于全球需求仍有限。但 2025 年下半年以来，AI 算力爆发驱动上中下游环节协同发力，本土化替代正在加速。
AI 算力需求爆发下的刚性缺口
随着人工智能算力需求呈指数级攀升，磷化铟衬底材料正迅速跃升为全球光通信基础设施建设的市场关注焦点。
2026 年 7 月，美国光芯片领军企业 Lumentum 首席执行官迈克尔赫尔斯顿在巴黎欧洲 AI 峰会上公开表示，当前磷化铟衬底的供需缺口已显著超越 DRAM 与 NAND 闪存等主流存储器件。
这一信号不仅揭示了材料端的极度紧张，更凸显出磷化铟在 AI 时代数据中心光互连体系中日益关键的基础性地位。
国内一位磷化铟衬底企业高管对《科创板日报》记者进一步表示，AI 算力市场发展提速，高速光模块激光器与光电探测器行业遇到的问题是如何实现数据快速传输，把显卡（GPU）整体效率充分释放出来。所以现在行业的主流解决方案，是用光信号替代传统电信号，其中激光器和探测器这类核心器件对应的光芯片，就必须使用磷化铟衬底材料。
" 分水岭是从 2025 年下半年起，磷化铟衬底材料的整体市场需求看涨。" 该磷化铟衬底企业高管补充说道。
在应用端，源杰科技、仕佳光子、长光华芯等高速光芯片企业人士也向《科创板日报》记者证实，AI 数据中心是当下拉动磷化铟基光芯片产能需求的主要市场。
谈及全球磷化铟衬底供需现状，上述磷化铟衬底公司高管表示，在全球磷化铟衬底成品市场上，日本住友电工、日本 JX 金属、美国 AXT 三家国外企业，合计占据九成以上份额，国内所有厂商出货量加在一起只占全球供应量约一成。
" 现在本土替代空间比较大，国内整体产能在全球占比仍然比较小。" 前述磷化铟衬底公司高管对《科创板日报》记者介绍，国内本土规模最大的企业之一是云南锗业旗下的鑫耀半导体，它目前年产能大概 15 万片 / 年。" 还有北京通美，它就是美国 AXT 的全资子公司，它的产能规模也比较大，因未上市，具体产能数据未公开，它们家产品主要供货给母公司 AXT，并对外出口。" 其表示。
" 从产业整体来看，国内磷化铟产业算是刚刚起步。过去磷化铟整体市场需求没有这么大，现在算力建设带动磷化铟材料需求快速抬升，但产能供给的建设匹配还需要时间。" 该磷化铟衬底公司高管补充说道。
缺口方面，中国银河证券的研报数据显示：2025 年全球磷化铟器件需求约 200 万片 / 年，实际产能仅约 60 万片 / 年。第三方咨询公司 Yole 预测 2026 年全球需求攀升至 260 万 / 年到 300 万片 / 年，有效产能只提升到 75 万片 / 年左右，供需缺口超过 70%。
不过，对于 " 供需缺口超 70%" 这一说法，业界仍持谨慎观望态度。
云南锗业证券部工作人员表示，公司做重大经营决策，不会只看市场热度，也不会单纯依靠几份研究报告、第三方机构的观点就去落地扩产项目，一定会结合自身实际能力综合判断。" 公司做出扩产决策主要基于两点：第一，参考下游客户大概率可以给到我们的订单情况；第二，评估我们自身的生产、经营等情况，判断我们是否具备落地项目的实力。"
" 本次扩产规划新增 30 万片 / 年折算产能，一方面是看到下游存在很大概率会兑现的需求，另一方面是我们评估过后确认公司有能力完成该项目建设。" 云南锗业证券部工作人员进一步表示。
事实上，在火热的预期背后，需要冷静区分 " 真实 " 与 " 虚幻 "。
《科创板日报》采访中了解到，AI 算力中心建设是当前磷化铟衬底环节需求增长的 " 基本盘 "，具有一定持续性。工信部 2026 年 1-2 月通信业运行数据显示，全国算力基础设施投资同比增长 42%；" 东数西算 "8 个国家算力枢纽节点、各地省级智算中心以及头部互联网厂商 AI 集群建设均在加速推进，是看得见、摸得着的需求增量。
相比之下，6G、车载激光雷达等领域更多是强化长期预期。这些领域目前仍处于产业化早期阶段，距离大规模商业化应用还有一段路要走，市场在短期可能过度解读了这些远期应用对当前供需格局的影响。
衬底突围：本土化替代尚处爬坡期
8 月 21 日晚间，A 股光模块龙头中际旭创发布 2026 年半年报，营收同比增长 182.49%；净利润同比增长 241.7%。公司表示主要是重点客户增强资本开支加大算力基础设施领域投资所致。
报告期内，中际旭创预付款余额从 2025 年底的 1.34 亿元跃升至 9.54 亿元，增长了 6 倍多。这笔预付款的重要用途是提前锁定上游光芯片和衬底产能。
国内某金属材料企业市场负责人更是公开表示，2026 年下游客户拿磷化铟衬底的交期普遍达到 24 至 40 周，部分规格更是需要预付三到五成定金才能排上队。
据《科创板日报》记者最新了解，国内高速光芯片赛道国产芯片出货节奏正明显加快，然而作为关键材料的磷化铟衬底，目前仍主要依赖海外厂商采购。
主打 EML 芯片的长光华芯不涉及上游磷化铟衬底布局，以外购衬底生产高速光芯片，定位为产业链中游的光芯片厂商。
长光华芯证券部工作人员表示，针对现阶段全球磷化铟衬底紧缺的情况，公司也在验证并导入如云南锗业、北京通美等为代表的国内厂商生产的磷化铟衬底。
谈及磷化铟衬底采购来源，源杰科技董秘办人士表示，该公司的光芯片生产衬底同时采购国内、海外厂商，供应商名单属于商业机密不予披露。
" 公司在磷化铟衬底采购环节将采取多元化、多供应商策略，通过分散采购来源保障上游原材料供应的稳定性。" 仕佳光子方面人士对《科创板日报》记者表示，该公司所需的磷化铟衬底全部依靠外部采购；该公司 CW 类有源器件产品，会使用磷化铟衬底材料。
三安光电从事磷化铟外延片、光芯片业务，并实现了相关产品的批量销售。
" 公司上游环节的磷化铟衬底，全部靠市场采购，自身并不生产。" 据三安光电董秘办人士介绍，该公司现有磷化铟基光芯片产能为 2750 片 / 月，磷化铟外延产能为 6000 片 / 月，相关产线仍持续扩张中。
云南锗业旗下鑫耀半导体，是国内少数能量产光通信用磷化铟衬底的企业。
谈及磷化铟衬底产能布局，云南锗业董秘办人士表示，目前公司量产主力为 2-4 英寸磷化铟衬底，现有产能 15 万片 / 年。2026 年 4 月公司公告投资 1.89 亿元扩产项目，规划新增折算口径 30 万片 / 年磷化铟衬底的年产能，建设期 18 个月，其中包含 6000 片 / 年 6 英寸衬底中试产能。"目前我司有少量 6 英寸磷化铟衬底已向下游客户及实验室供货，主要用于试验研发，大规模量产尚需时日。" 其表示。
磷化铟赛道热度攀升下，跨界玩家纷纷入局。
今年 6 月，从事皮革业务的兴业科技，宣布拟总价 5500 万元收购青岛立昂，进军磷化铟衬底领域。
兴业科技表示，标的公司青岛立昂的产品以 2 英寸、3 英寸磷化铟衬底为主；目前公司 4 英寸磷化铟衬底还在验证阶段，验证门槛较高，可能存在客户验证不通过的风险。
产能及项目推进方面，" 青岛立昂现有产能大概 2 万片 / 年，该公司目前完成扩产规划，目标扩至 10 万片 / 年，预计今年四季度到 2027 年一季度，开启试生产，后续逐步爬坡并释放产能。" 一位接近该标的公司人士表示。
此外，跨界磷化铟领域的还有博杰股份，该公司通过参股珠海鼎泰芯源切入磷化铟上游衬底赛道，鼎泰芯源可实现 2-4 英寸磷化铟衬底批量供货，6 英寸产品尚在研发送样，具体产能释放情况并未披露。截至 2026 年 Q1，鼎泰芯源尚未实现盈利。
" 现阶段，各家企业都需要持续优化改进，不是第一年建好工厂，第二年就能产出合格产品。从产线建设到下游验证完成并批量供货需要 2-3 年甚至更长的周期。" 对于国内磷化铟衬底产能放量时间表，前述磷化铟衬底公司高管表示，磷化铟衬底从 3 英寸升级 4 英寸、4 英寸升级 6 英寸，晶圆面积不断扩大，加工环节的研发存在技术瓶颈，涉及设备改造、专有温场控制技术等，每一次尺寸升级，都意味着工艺体系的重新磨合与良率爬坡。
高纯铟提纯：用量少 门槛极高
从产业链看，磷化铟衬底的制备流程为：以高纯铟、磷为原料合成磷化铟多晶，经单晶生长得到单晶锭，再通过切、磨、抛等工序加工为衬底晶片。国内原生铟材料主要来自于铅锌锡冶炼伴生矿，原生铟产量占到全球七成以上。
而作为磷化铟单晶制造的核心原料高纯铟、电子级红磷等同样高度依赖进口。
《科创板日报》记者采访了解到，锡业股份、华锡有色、锌业股份等上市企业，可以稳定输出大量 4-5N 工业级精铟，近 60% 的销量供应给 ITO 靶材市场，资源总量储备充足。
但是，随着 AI 算力需求抬升，7N 以上半导体级超高纯铟供应趋紧。这类高纯铟是磷化铟单晶长晶的核心原料，国内有效量产产能短期内并不充裕。
锡业股份董秘办人士表示，光通信用磷化铟衬底对铟材的纯度要求极高，需达到 6N（99.9999%）至 7N（99.99999%）级别。公司旗下参股企业云南锡业新材料在推进高纯铟项目，拥有一定的 7N 级别高纯铟产能规模，同时正在扩建产能。
谈及 7N 级高纯铟业务推进，8 月 19 日，高纯铟冶炼类企业豫光金铅方面表示，该公司建有一套 7N 级别高纯铟材料中试产线，目前为小规模试验性生产，年产规模 300 公斤。目前产出的样品已供给下游客户开展试用验证。预计 2026 年年底或者 2027 年年初拿到客户试用的反馈结果，后续将结合市场情况再评估扩产及项目建设事宜。
国内另外一家头部金属铟提炼企业，华锡有色证券部工作人员表示，该公司早在 2025 年针对可应用于半导体领域的 7N 级以上高纯铟开展过相关研发工作。截至目前，相关产品处于研发、验证阶段。
" 尽管国内精铟资源充足，但能稳定产出 6N、7N 级半导体用高纯铟的国内企业不多。" 上海一位小金属行业高级分析师黄立（化名）在接受《科创板日报》记者采访时表示，普通精铟和半导体级高纯铟，看似只差几个 9 的纯度，背后是完全不同的工艺体系。这几年随着光芯片需求爆发，国内提纯技术快速跟进。按照现在的项目上马速度，相信用不了两年，国内高纯铟原材可实现供需平衡。
黄立进一步表示，国内高纯铟提纯环节发展滞后，还有另一层原因。磷化铟衬底对铟的需求量并不大，这直接导致国内企业布局意愿不足。目前，国内 7N 级以上高纯铟在整体铟材料中的需求占比，仅约 10%。
" 现在市场上反复炒作磷化铟概念，大众普遍误以为磷化铟中的金属消耗量巨大，但是实际物料消耗规模很小。" 据黄立介绍，一片 2 英寸磷化铟衬底所需的高纯铟只有 1-2 克左右。假设以国内磷化铟衬底最大规模产能企业之一的云南锗业为例，其现有的 15 万片 / 年磷化铟衬底，折算下来，也仅需要 300-400 公斤的高纯铟。这也在一定程度上导致上游铟材料提纯厂家没有动力搭建提纯实验室、配置提纯设备，进入一个技术门槛极高的细分领域。
" 此外，从价格角度看，目前市面上普通精铟价格五千多元，做到 6N 级别以上的高纯铟，价格可能也就只有六千多。一千元左右的价差，这个溢价吸引力并没有想象当中那么大。" 黄立表示。
