多家华尔街投行近期就存储芯片行业前景发表了观点。综合来看，分析师们认为，AI 驱动的存储芯片涨价势头或将放缓，但供应短缺局面短期内仍将持续。
尽管数据中心支出仍在持续推动对高端存储芯片的需求，但分析师警告称，此前推动存储厂商在过去几个季度录得创纪录利润的大幅涨价，可能无法持续，预示着行业周期正在步入后期阶段。
摩根士丹利在上周发布的一份报告中警告称，随着涨价幅度收窄、厂商库存逐步累积，存储芯片周期将在第四季度进入后期阶段。
随着投资者重新评估存储热潮的可持续性，近几周该板块普遍回调。包括美光、SK 海力士和闪迪在内的主要存储芯片厂商股价近几周均从高位大幅回落。
这一股价走势一定程度上反映了对存储芯片涨价潮将降温预期。
伯恩斯坦研究（Bernstein Research）上周五在一份报告中指出，预计第三季度传统 DRAM 合约价格将环比上涨约 17%，较今年第二季约 65% 的环比涨幅大幅放缓。
此外，尽管中国头部存储芯片厂商的扩产计划是存储需求旺盛的佐证，但另一方面也将进一步加剧供给端的压力。
瑞银预计，中国最大存储厂商长鑫存储的月产能将从 2025 年底的约 24 万片晶圆提升至 2028 年底的 46.6 万片，使其在全球 DRAM 比特供应中的份额从约 7% 提升至 10%。
与此同时，中国头部 NAND 厂商长江存储正在扩大其在 NAND 闪存领域的版图。伯恩斯坦表示，长江存储在移动 NAND 领域的涨价幅度低于其全球竞争对手，这帮助其在终端设备厂商日益抵制高成本的背景下抢占了市场份额。
不过，这种降温在不同终端市场之间并不均衡。消费电子厂商，尤其是 PC 和智能手机制造商，正更强烈地抵制进一步涨价；而来自服务器和 AI 数据中心的需求则坚挺得多。
花旗研究援引 TrendForce 的数据预测，2027 年服务器需求将占全球 NAND 产量的 51.1%，高于 2026 年的 44.2%。
供应紧张料持续
尽管如此，存储芯片涨价势头放缓，并不一定意味着全球供应紧张格局会立即结束。
摩根大通预计，存储芯片短缺还将持续两年。该行估算，市场大约需要额外增加每月 30 万片 DRAM 晶圆投片产能和 4.5 万片 NAND 晶圆投片产能，才能在 2028 年前实现供需平衡。
新的半导体晶圆厂需要数年时间才能建成并投产，而 AI 加速器所需的高带宽存储芯片（HBM）产量激增仍在持续消耗晶圆产能，从而挤压了通用 DRAM、NAND 闪存的可用晶圆产能。
尽管作为全球第四大 DRAM 巨头的长鑫存储有着雄心勃勃的扩产目标，瑞银仍预计全球 DRAM 市场至少到 2028 年第二季度仍将处于供不应求的状态。
