美国银行最新分析显示,SK 海力士至 2028 年实际可新增的存储芯片产能,可能仅为原计划的六分之一,这一判断不仅令韩国政府的产能扩张蓝图大打折扣,更为正在进行中的 DRAM 价格操纵集体诉讼提供了关键佐证。受旧厂关闭、技术升级及制程微缩等因素影响,韩国每年实际可增加的运营存储晶圆产能不足 10%,这意味着到 2030 年的产能增量将远低于韩国总统李在明此前设定的 "2030 年产能翻倍 " 目标。这一判断直接冲击 DRAM 市场的供给预期。(财联社)
36氪
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美银预计 SK 海力士至 2028 年实际可新增产能仅为原计划的六分之一
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