SK 海力士正式登陆纳斯达克在即，将 AI 内存领导地位的叙事直接带入全球资本市场。
据报道，美东时间 7 月 10 日，SK 集团会长崔泰源将亲赴纽约，出席 SK 海力士美国存托凭证（ADR）在纳斯达克上市仪式，并与 SK 海力士总裁兼首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）等高管共同参与开市敲钟。此次 ADR 发行规模最终确定为 1779 万股，约占公司已发行股份的 2.5%，预计募资约 43 万亿韩元。
SK 海力士表示，此次上市旨在提升公司在全球资本市场的知名度，争取更合理的市场估值。公司认为，尽管已在 AI 内存市场确立领先地位，但当前估值仍低于美光。募集资金将全部用于扩大半导体产能及先进封装能力建设。
崔泰源赴纽约，强化 AI 内存战略叙事
据报道援引行业消息人士，崔泰源此行的重要任务之一，是向全球投资者阐述 SK 海力士在 AI 内存领域的长期增长战略，并就深化与全球科技巨头合作展开交流。
外界普遍认为，崔泰源亲自出席上市仪式，不仅体现了集团对 ADR 上市的重视，也是在全球资本市场进一步强化 SK 海力士 AI 内存领导者形象、释放长期增长信心的重要举措。
在美期间，崔泰源预计还将寻求与英伟达及特斯拉高管会面。今年 2 月，他曾赴硅谷与英伟达管理层讨论高带宽内存（HBM）、下一代服务器内存模组 SOCAMM、NAND 闪存以及 AI 数据中心等合作议题。今年 6 月，英伟达首席执行官黄仁勋访韩期间，双方再次会晤，并重申长期战略合作伙伴关系。
募资聚焦产能扩张与先进封装
根据 SK 海力士向美国证券监管机构提交的注册声明，此次 ADR 最终发行价格于美东时间 7 月 9 日确定，并于 7 月 10 日在纳斯达克正式开始交易。
公司表示，募集资金将重点投向龙仁半导体集群首座晶圆厂建设、清州 P&T7 园区先进封装设施扩建，以及美国印第安纳州 AI 内存封装工厂建设。同时，公司还将采购极紫外（EUV）光刻设备，进一步提升先进制程制造能力。
整体来看，此次募资投向高度聚焦于 HBM、先进封装及高端制造产能扩张，与 SK 海力士持续巩固 AI 芯片供应链竞争优势、满足快速增长的 AI 内存需求的长期战略保持一致。
