AI 算力需求的结构性扩张，正在将全球存储产业推入新一轮资本开支超级周期，而长鑫科技的科创板 IPO 或将成为国产半导体产业链订单兑现的关键催化剂。
2026 年 5 月，长鑫科技科创板 IPO 获上市委审议通过，拟募资 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM 技术升级及前瞻技术研发三大项目。国联民生证券薛宏伟团队在 7 日的研报中认为，这一节点的意义不止于单家企业的资本化——长鑫现有产能利用率已从 2023 年的 87% 攀升至 2025 年的约 96%，产线接近满产，扩产的需求支撑充分，IPO 募资落地后新一轮大规模资本开支有望重启。
资本开支的传导将沿产业链节奏逐级释放，形成设备、零部件、材料三个层次的受益梯队。国联民生证券认为，此次产业脉冲的受益顺序清晰：设备环节最先受益，零部件随整机订单接力放量，材料耗材则在产线投片爬坡后持续兑现——各环节的弹性排序与投资节奏，将成为本轮布局的核心逻辑。
AI 驱动：全球存储原厂集体加码 Capex
本轮存储景气与以往消费电子主导的周期存在本质区别，其核心驱动力是 AI 算力需求的快速扩张。
HBM 对常规 DRAM 产能的挤出效应，是本轮供需缺口的核心机制。据 TrendForce 测算，三大原厂 HBM 晶圆投入占 DRAM 晶圆总投入的比重将由 2025 年的约 18% 升至 2026 年的约 22%，2027 年进一步升至约 30%。由于 HBM 单位比特所需晶圆产能约为常规 DDR5 的 2.5 至 3 倍，每增加一片 HBM 产能即挤占数片通用 DRAM 产能，导致通用 DRAM 供给被结构性压缩。
供需缺口推动原厂集体上调资本开支。美光 FY2025 资本开支约 138 亿美元，据 TrendForce 数据，FY2026 预计超过 250 亿美元，同比增长超 80%；三星 FY2026 计划总投资（含研发）超过 110 万亿韩元（约 733 亿美元），首次突破 100 万亿韩元，三星在财报电话会议中明确表示 "2026 年存储领域资本开支将显著增加 "；SK 海力士 FY2025 资本开支约 30.2 万亿韩元（约 256 亿美元），FY2026 计划同比继续大幅增加，核心项目包括清州 M15X 新厂产能爬坡及忠清地区人工智能数据中心建设。
TrendForce 预测，AI 需求将推动 2026 年 DRAM 与 NAND Flash 合计营收达 8893 亿美元，2027 年进一步增至约 1.28 万亿美元，同比增长 44%，其中 DRAM 增至 9033 亿美元，成为本轮市场扩张的核心驱动力。
Capex 传导：三阶段释放，设备先行
长鑫扩产的资本开支并不会平均分配到产业链各环节，而是按照项目建设节奏逐级传导。
第一阶段为前道设备招标与采购。据经济观察报报道，长鑫 2026 年二季度已正式开启设备招投标，全年计划扩产 5 万至 6 万片晶圆，对应设备采购需求达 50 亿至 60 亿美元。SEMI 数据显示，设备价值量通常占产线总投资的 70% 至 80%，设备环节是整个链条中最先受益的节点。
第二阶段为核心零部件拉动。设备厂获得批量订单后，向上游传导备货需求，腔体、真空系统、射频电源、精密温控模组等核心零部件进入批量备货周期。相较整机厂商，部分核心零部件的扩产需要新增精密加工产线、完善工艺能力并完成客户验证，供给释放周期相对较长，在需求高增阶段容易形成供给瓶颈，业绩弹性有望高于设备厂商。
第三阶段为材料耗材持续释放。产线完成安装调试并进入产能爬坡阶段后，电子特气、湿电子化学品、高纯靶材、CMP 抛光液等耗材需求随投片量持续放量，该环节后周期属性显著，但需求持续性强、复购属性突出。
设备先行：刻蚀与薄膜沉积构成第一梯队
在设备环节内部，国联民生证券依据单机价值量、国产化基础与客户验证进度，对各细分方向进行了排序。
刻蚀设备与薄膜沉积设备被列为第一核心梯队。刻蚀设备是存储制造中最核心的工艺设备之一，随 DRAM 制程持续微缩，图形转移精度与高深宽比结构加工要求持续提升；长鑫扩产将通过新增产能与技术升级双重拉动刻蚀设备需求，且存储产品批量重复制造特征使设备通过验证后订单延续性较强。国内厂商中，中微公司在 CCP、ICP 刻蚀方向具备较强产品基础，北方华创则在刻蚀、薄膜、热处理等前道环节形成平台化布局。薄膜沉积设备方面，随制程迭代，CVD、ALD、PVD 设备重要性增强，国产厂商在部分环节已有批量基础。
CMP 与清洗设备构成第二梯队，与新增产线建设高度相关，华海清科、盛美上海等公司具备较强国产化基础。涂胶显影、量测检测、离子注入等环节国产化率较低，短期确定性相对偏弱，但一旦在长鑫体系实现突破，低基数带来的弹性同样值得关注。
零部件接力：供给瓶颈放大弹性
设备订单增长向上游传导，核心零部件有望呈现高于整机的业绩弹性。
半导体设备由精密机械、真空、气液输送、射频电源、温控、晶圆传输及电气控制等多个功能系统集成，零部件的精度与可靠性直接影响设备运行效率及晶圆良率。在设备需求快速上行阶段，精密加工产线扩产周期长于整机，当真空泵、传感器、精密温控装置等关键部件供应不足时，单一零部件短缺便可能成为整机交付的瓶颈。
海外供给受限将推动设备厂商加速导入本土供应商，国内零部件企业有望同时获得订单外溢机会。此外，Process Kits、腔体内衬、气体分配盘等部分零部件具备耗材属性，不仅受益于新增设备装机，也受益于存量机台维护更换，收入连续性较强。
材料后发：国产替代从中低端向高端推进
材料环节的受益节奏滞后于设备与零部件，但需求持续性最强。
据 SEMI 数据，全球半导体材料市场 2025 年已达 732 亿美元，其中晶圆制造材料 458 亿美元。从国产化进度看，细分品类分化明显：湿电子化学品推进较快，2025 年半导体领域整体国产化率约 50%；电子特气市场仍由外资主导，截至 2025 年 6 月，空气化工、林德集团、液化空气和太阳日酸合计占约 86%，国产替代空间仍大；高端光刻胶、先进制程特气等仍高度依赖进口。
各细分领域的国产龙头已取得积极进展。硅片方面，沪硅产业截至 2025 年末 300mm 半导体硅片合计产能已达 85 万片 / 月；CMP 抛光材料方面，鼎龙股份的 HKMG 氧化铈抛光液已成功通过国内龙头存储芯片制造企业全流程验证并获批量订单，安集科技铜抛光液已实现 14nm 稳定量产；光刻胶方面，彤程新材已全面覆盖 ArF、KrF 等多品类，是国内 8 至 12 英寸集成电路产线核心本土材料供应商。随长鑫等产线投片放量，材料环节有望迎来后周期业绩兑现。
