HBM（高带宽存储器）是 AI 加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定 AI 训练与推理的效率。当前，HBM 市场由三星、SK 海力士和美光主导，此前 SK 海力士在 HBM3 及 HBM3E 阶段占据显著先发优势。
三星自 2015 年切入 HBM 赛道，产品已历经十代迭代，2026 年 2 月，三星量产 HBM4，是全球首家完成 HBM4 量产的企业。
据三星介绍，作为 HBM4 的迭代升级产品，12 层 HBM4E 采用第六代 10 纳米 ( nm ) 级 DRAM 工艺 ( 1c ) 和三星晶圆代工的 4nm 逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均有大幅提升，专为大模型、生成式 AI 及高性能计算场景打造，与 HBM4 相比——
性能：其 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16Gbps，以满足日益增长的数据处理需求；与 HBM4 相比，性能提升超过 20%，同时每个堆栈的内存带宽高达 3.6TB/s，有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系统的计算性能。
容量：HBM4E 提供 48GB 的容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32GB（8 层）和 64GB（16 层）配置。
能效和散热：低功耗设计与封装优化使能效提升 16%，热阻改善超 14%，散热效率显著增强，可降低 AI 数据中心高负载能耗。
HBM 市场上，三星、SK 海力士、美光正你追我赶，呈现三足鼎立格局。
作为当前 HBM 市场的份额领导者，SK 海力士的 HBM4 于 2025 年 9 月量产；HBM4E 计划 2026 年下半年送样、2027 年量产，其 HBM4E 将采用基于 1c nm 制程的 DRAM 裸片，基础裸片则由台积电采用 3nm 工艺生产；美光的 HBM4 产能爬坡进展顺利，计划于 2027 年量产 HBM4E，消息称其 HBM4E 将采用 10 纳米级第六代 1 γ 工艺，这是美光首次在量产工艺中引入 EUV 光刻设备，基础裸片将委托台积电制造。
TrendForce 分析指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导，虽传统 DRAM 利润率短期反超 HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好 HBM 长期合约价走高，横向对比来看，当前除 HBM 以外的各类 DDR 及消费级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而 HBM 的涨价红利尚未充分释放。
海通国际证券称，伴随 2027 年全球 AI 服务器出货量持续高增、HBM3e/HBM4 迭代渗透提速，叠加先进封装与良率瓶颈仍持续约束供给释放，看好 HBM 后续涨价预期。
