在 AI 驱动全球存储行业进入高景气涨价周期的背景下，长鑫科技 26Q1 单季营收 508 亿元、同比增 719.1%，归母净利润 247.6 亿元、同比暴增 1688.3%，26 年上半年预计 1100 至 1200 亿元营收、500 至 570 亿元归母净利润，同比预增 2244%~2544%。这验证了公司盈利能力的爆发式增长，也标志国产存储迈入业绩兑现期。
除了长鑫科技惊人的速度兑现盈利能力，公司千亿级别资本开支规划也给市场带来信心，将为国产半导体设备、材料和零部件厂商带来历史性机遇。
多家券商认为，存储芯片正处于 AI 驱动的历史性上行周期，国产 DRAM 产业迎来关键发展窗口。随着长鑫科技 IPO 稳步推进、长江存储招股在即，两大国产存储龙头相继冲刺资本市场，所募资金将有力支撑后续大规模产能扩张。
综合来看，券商对于此次长鑫科技更新招股说明书的解读有几大关注点：
一是业绩爆发式增长验证 AI 驱动下的存储高景气周期，公司 IPO 进程确定性增强；
二是公司拟募资 295 亿元用于技术升级与扩产，全球市场份额已跃居第四，技术进入 " 跳代 " 追赶阶段；
三是围绕两存扩产主线的设备、材料、零部件等产业链环节，将在未来三到五年迎来订单与业绩的持续兑现期；
四是存储缺货预计延续至 2027 年，国产替代空间广阔，代工及先进封测环节同步受益于技术升级与定制化趋势。
业绩超预期兑现
根据长鑫科技最新招股书披露的数据，公司 2026 年第一季度实现营收 508 亿元，同比增幅高达 719.1%，而归母净利润更是达到 247.6 亿元，同比激增 1688.3%。这一增长势头在第二季度得以延续，公司预计 2026 年上半年整体营收将达到 1100 亿至 1200 亿元，同比增长 613% 至 677%，归母净利润预计在 500 亿至 570 亿元区间，同比增幅惊人，达到 2244% 至 2544%。
长江证券指出，公司 26Q1 的收入及利润均超预期，同时产能利用率也持续攀升，从 2023 年的 87.06% 升至 2025 年的 95.73%，印证了其产销两旺的强劲态势。
在业绩的强力支撑下，长鑫科技的 IPO 进程被市场视为确定性事件。国盛证券详细梳理了时间线：公司于 2025 年 12 月向上交所科创板提交 IPO 申请并获受理，拟募集资金 295 亿元，这一规模是科创板开板以来第二大 IPO 项目。尽管因财务资料过期于 2026 年 3 月出现技术性中止，但市场普遍预计，补充最新财务数据后，公司有望在 2026 年第二至第三季度尽快重启申报，下半年挂牌上市的概率较大。
此次募资中，将有 75 亿元用于量产线技术升级改造，130 亿元用于 DRAM 存储器技术升级，另有 90 亿元投向动态随机存取存储器的前瞻技术研发，国盛证券分析认为，这一募资规模为科创板开板以来第二大 IPO 项目，所募资金将有力支撑后续大规模产能扩张。而西部证券则强调，随着公司产线建设稳步推进，整体产能将持续提升，预计将进一步提升在全球市场的竞争力。
技术追赶步入新阶段
在业绩爆发的背后，是长鑫科技在全球 DRAM 市场地位的历史性突破。西部证券援引 Omdia 的数据指出，按照产能、出货量和销售额综合统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商，2025 年第四季度的全球市场份额已增至 7.67%。
招商证券也确认了这一数据，并指出随着公司合肥一期、合肥二期及北京三条 12 英寸生产线的产能建设和产品迭代，其产能及产量均大幅提升，考虑到国内 DRAM 市场约占全球需求的 25% 以及公司现金流向好，其产能规模有望持续提升，进一步在全球竞争中扩大份额。
更为关键的是，长鑫科技在技术维度上正加速缩小与国际巨头的差距。兴业证券分析指出，公司于 2024 年推出新一代 16GbDDR5 产品，跳过了 17nm 节点直接采用 16nm 节点，实现了对海外厂商工艺差距的进一步缩小，并同时布局 HBM 以直面 AI 浪潮。
东方证券关注到，长鑫科技已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产，以及从 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 的产品迭代，核心产品已达到国际先进水平。当前，国际领先的 DRAM 企业正面临制程微缩的物理极限与成本剧增的挑战，长鑫科技正积极推进 4F 垂直沟道晶体管、CBA（CMOSdirectlyBondedtoArray）等新技术方案，这些领域国内外厂商均处于探索阶段，为国产厂商提供了弯道超车的可能。
扩产浪潮确定性开启
长鑫科技的千亿级扩产计划同样值得关注，这将为国产半导体设备、材料和零部件厂商带来历史性机遇。数据显示，公司 2023 年至 2025 年的资本性支出分别高达 437 亿元、712 亿元和 497 亿元，单座 DRAM 产线投资超百亿美元，且随着制程升级，设备投入将进一步攀升。
招商证券指出，国内存储原厂扩产趋势明确，国产化率有望持续提升，设备、零部件及材料的订单增长趋势明确。
具体来看，设备环节，随着存储产线扩产提速，前道及后道先进封装设备受益最大；零部件环节，设备厂库存处于低位，后续拉货将带动零部件厂商收入快速增长；材料环节，长鑫主要材料采购占比持续提升，2025 年化学品、光阻剂、硅片采购占比分别为 37.29%、12.16% 和 8.55%，国内材料产品工艺能力正不断增强。
有券商指出，两存（长鑫存储与长江存储）一旦完成上市，后续整体扩产将持续加速，首要任务是在 5 年内填补超 100 万片的产能缺口，第二步则是在 10 年内再扩 100 万片以参与全球竞争。未来 3 至 5 年，各家设备公司收入在 2025 年基础上实现翻倍甚至数倍增长是大概率事件。
技术升级驱动代工与封测新增长
长鑫科技的扩产与技术演进，影响远不止于传统的设备材料环节，更在重塑整个半导体代工与封测格局。招商证券提出，存储技术升级有望带动 CBA 架构放量，同时存储作为算力核心构成，其扩产将同步带动偏先进逻辑工艺产能的提升。
此外，AI 推理正驱动 HBF 等新型存储产品开发，以填补 DRAM 与 SSD 之间的性能空缺，这对先进封装提出了更高要求。随着存储定制化产品渗透率提高及长鑫扩产带来的订单外溢，封测环节将持续受益，深科技、汇成股份（鑫丰）、颀中科技成为机构普遍提及的标的。
在更宏观的层面，券商普遍看好本轮由 AI 拉动的存储大周期持续性。平安证券指出，中国 DRAM 市场规模约占全球四分之一，但三星、海力士、美光三家巨头合计占据全球超 90% 份额，国产替代空间极为广阔。
东方证券也强调，海外存储巨头重点布局高价值的 HBM，在通用存储领域产能释放有限，供不应求的局面有望持续较长时间。国盛证券则预测，2025 至 2026 年全球存储芯片市场规模将分别达 2116 亿和 2948 亿美元，景气周期有望延续至 2027 年甚至更久。
供需缺口延续至 2027 年
从更宏观的产业周期视角来看，本轮存储景气上行远未到终点。招商证券明确指出，当前存储缺货持续加剧，供应很难在短时间内大幅增加，预计供需缺口或将持续至 2027 年甚至更久，存储合约价涨势同样将延续，产业链公司业绩有望持续高增。
兴业证券从需求、技术、资金三个维度分析后判断，2026 年将是国内存储加速扩产的重要拐点。需求侧，存储涨价、全球存储原厂持续上修资本开支已充分证明 AI 时代对存储的爆发性需求；技术端，长鑫存储进一步缩小与海外厂商工艺差距，同时布局 HBM 直面 AI 浪潮；资金端，随着 IPO 融资落地，此前制约扩产的资本瓶颈将得到根本性缓解。
